| 发明名称 | 等离子体处理装置及其密封结构、密封方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体处理装置及其密封结构、密封方法。该装置的密封结构能使等离子体稳定，防止密封构件老化。密封等离子体产生室(2)的开口部的闸阀包括阀体(16)、阀杆(17)和密封阀体与等离子体产生室的间隙的环状密封构件(11、12)。密封构件(11)位于等离子体产生室侧，直接接触等离子体气体介质。密封构件(11)与密封构件(12)不接触，存在间隙(S)。阀体沿密封构件(11)长度方向有多个气体槽(13)。气体槽位于与密封构件(11)的长度方向大致正交的方向上，连通间隙和等离子体产生室。在等离子体产生室的壁上设有向间隙注入气体的气体注入通路(14)。设有沿密封构件(11)长度方向连续的凹部(15)，将气体注入通路的气体排出口和凹部连结。 | ||
| 申请公布号 | CN101556909A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200910129409.2 | 申请日期 | 2009.03.18 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 石桥清隆;岸田好晴 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置的密封结构，其用于密封进行等离子体处理的等离子体产生室的开口部，其特征在于，该等离子体处理装置的密封结构包括：第1密封构件，其为环状，与上述等离子体产生室的等离子体气体介质接触；第2密封构件，其为环状，不与上述等离子体产生室的等离子体气体介质接触；间隙，其位于上述第1密封构件与上述第2密封构件之间；气体注入口，其用于向上述间隙中注入惰性气体；槽，其沿着与上述第1密封构件的长度方向大致正交的方向形成在与上述第1密封构件相邻接的面上，用于连通上述等离子体产生室和上述间隙。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||