| 发明名称 | 在半导体器件中制造图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体器件中形成精细图案的方法，包括在蚀刻目标层上形成第一聚合物层，所述第一聚合物层包括富碳聚合物层，在第一聚合物层上形成第二聚合物层，所述第二聚合物层包括富硅聚合物层，图案化所述第二聚合物层，氧化图案化的第二聚合物层的表面，使用包括氧化表面的图案化第二聚合物层蚀刻第一聚合物层，和使用包括氧化表面的图案化第二聚合物层和蚀刻的第一聚合物层来蚀刻所述蚀刻目标层。 | ||
| 申请公布号 | CN100550297C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710101741.9 | 申请日期 | 2007.05.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣权;文承灿;金原圭 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种在半导体器件中形成精细图案的方法，所述方法包括：在蚀刻目标层上形成第一聚合物层，所述第一聚合物层包括富碳聚合物层；在所述第一聚合物层上形成第二聚合物层，所述第二聚合物层包括富硅聚合物层；图案化所述第二聚合物层；氧化所述图案化第二聚合物层的表面；使用包含氧化表面的所述图案化第二聚合物层来蚀刻所述第一聚合物层；和使用包含氧化表面的所述图案化第二聚合物层和所述蚀刻的第一聚合物层来蚀刻所述蚀刻目标层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||