发明名称 读取及写入一种磁性存储器设备的方法
摘要 一种磁性随机存取存储器(MRAM)单元,其包含磁性金属层与接近该磁性金属层的磁性感测设备。该磁性金属层的其中一端与字线晶体管耦接,而其另一端与第一位线耦接。该磁性感测设备可与第二位线耦接。该磁性金属层兼具编程及读取该单元的两种功能,使该单元不需要第二条电流线。
申请公布号 CN100550192C 申请公布日期 2009.10.14
申请号 CN200610146358.0 申请日期 2006.11.10
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 何家骅
分类号 G11C11/02(2006.01)I 主分类号 G11C11/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王 英
主权项 1、一种读取磁性存储器设备的方法,所述磁性存储器设备包括磁性金属层以及磁性感测设备,其中所述磁性金属层利用近接式导体来连接所述磁性感测设备,所述方法包括:施加电压以开启与所述磁性金属层的一端耦接的字线晶体管;施加电压差于所述磁性感测设备及所述磁性金属层上;当施加所述开启电压与所述电压差时,与所述磁性金属层的另一端耦接的位线处于浮动状态;以及使用与所述磁性感测设备的一端耦接的感测放大器感测读取电流。
地址 中国台湾新竹科学工业园区