具有半导体特性多阳离子氧化物通道的薄膜晶体管及制造方法

摘要

通过如下步骤制造薄膜晶体管(TFT)(10)：提供衬底(20)，沉积并图案化金属栅极(30)，将图案化的金属栅极阳极化以在金属栅极上形成栅极绝缘层(40)，在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层(70)，以及沉积并图案化相互分离且均与通道层接触的导电源极(50)和导电漏极(60)。

主权项

1、一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：a)提供柔性衬底，所述柔性衬底的最高处理温度为125℃，b)沉积并图案化适于阳极化的金属栅极，c)将图案化的金属栅极阳极化，从而在金属栅极上形成栅极绝缘层，d)在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层，所述多阳离子氧化物是选自镓，镉，锌，铟和锡中的两种或多种阳离子的混合氧化物，以及e)沉积并图案化导电源极和导电漏极，二者相互分离且设置成均与通道层接触。