半导体结构改良

摘要

本创作提一种半导体结构改良，此半导体结构包含一第二晶片与一第一晶片，其脚位定义依序为S2、G2、D2/D1、G1、S1，一相对应之半导体结构，包含第一晶片与第二晶片，其脚位定义依序为S1、G1、D1/D2、S2、G2。当此半导体结构与此相对应之半导体结构于一PCB做布局时，S1可直接连结于一GND，S2则可直接连结于一VIN。本创作完全解决需要跳线辅助的问题并减少电气特性产生杂讯之干扰。

主权项

一种半导体结构改良，该半导体结构包含一第二晶片与一第一晶片，其脚位定义依序为S2、G2、D2/D1、G1、S1；一相对应之习知半导体结构，包含该第一晶片与该第二晶片，其脚位定义依序为S1、G1、D1/D2、S2、G2；该第一晶片与该第二晶片皆放置于一导线架的基座上，藉由该第一晶片与该第二晶片背面所蒸镀上的金属与导线架结合，并透过导线架之基座形成共汲极D2/D1；当该半导体结构与该相对应之习知半导体结构于一PCB做布局时，S1可直接连结于一电源负端(GND)，S2则可直接连结于一电源正端(VIN)。