发明名称 放射性同位素铊-201之制程
摘要 一种放射性同位素铊-201之制程,系将铊-203经由电镀过程形成电镀靶材,作为铊-203固体靶材,且利用回旋加速器质子束照射铊-203固体靶材;并将铊-203固体靶材以强酸液体溶解成铅-201及铊-203溶液,之后加入氨NH3及水进行共沉分离成铊-201与铅-201液体,然后加入盐酸(HCl)利用树脂进行离子交换,将铅-201液体中之铁加以过滤分离进行第一阶段化学分离;之后将铅-201液体取出使其衰退成为铊-201液体;最后进行第二阶段化学分离,而于铊-201液体中加入含二氧化硫之盐酸HCl(SO2)溶液利用树脂进行进行二次离子交换,藉以达到快速分离出纯度较高之铊-201液。
申请公布号 TWI315214 申请公布日期 2009.10.01
申请号 TW095123605 申请日期 2006.06.29
申请人 行政院原子能委员会-核能研究所 发明人 林武智;杜定贤;蔡英敏;黄森荣;吕建兴;张茂雄;陈振宗
分类号 B01D59/30;B01D59/02;B01D59/00 主分类号 B01D59/30
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项 一种放射性同位素铊-201之制程,其至少包括下列步骤:电镀:将铊-203经由电镀过程形成电镀靶材,作为铊-203固体靶材;照射:将铊-203固体靶材利用回旋加速器进行质子束照射;第一阶段化学分离:系经溶解、共沉及一次离子交换等步骤,将铊-203固体靶材以强酸液体溶解成铅-201及铊-203溶液,之后加入氨(NH3)及水进行共沉分离成铊-201与铅-201液体,然后加入盐酸(HCl)利用树脂进行离子交换,将铅-201液体中之铁加以过滤分离;衰退:之后将铅-201液体取出进行衰退,使铅-201液体衰退成为铊-201液体;以及第二阶段化学分离:系于铊-201液体中加入含二氧化硫之盐酸HCl(SO2)利用树脂进行二次离子交换,藉以过滤出纯度较高之铊-201液体。
地址 桃园县龙潭乡文化路1000号