半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明旨在提供一种半导体器件，该半导体器件能够防止晶体管的特性偏离设计特性。本发明的半导体器件具有栅绝缘膜和栅电极，位于沟道形成区上方；两个第二导电型的高浓度杂质扩散层，其用作晶体管的源区和漏区；两个第二导电型的低浓度杂质扩散层，其具有低于第二导电型的高浓度杂质扩散层浓度的浓度，分别提供在第二导电型的高浓度杂质扩散层的周围，以便在深度方向和沟道长度方向上扩展第二导电型的高浓度杂质扩散层；以及第一导电型埋层，其具有高于半导体层浓度的浓度，位于第二导电型的低浓度杂质扩散层的下方，并且经由在器件隔离膜下方的区域，从沟道形成区下方的区域延伸向器件隔离膜的外围。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：器件隔离膜，形成在第一导电型半导体层中；器件形成区，通过所述器件隔离膜分隔；沟道形成区，被提供到所述器件形成区；栅绝缘膜，位于所述沟道形成区的上方；栅电极，位于所述栅绝缘膜的上方；至少两个或更多第二导电型的高浓度杂质扩散层，形成在所述器件形成区中，并且用作晶体管的源区和漏区；第二导电型的低浓度杂质扩散层，具有低于所述第二导电型的高浓度杂质扩散层浓度的浓度，形成在所述器件形成区中，并且分别提供在所述第二导电型的高浓度杂质扩散层的周围，以便在深度方向以及沟道长度方向上扩展所述第二导电型的高浓度杂质扩散层；以及第一导电型埋层，具有高于所述半导体层浓度的浓度，位于所述第二导电型的低浓度杂质扩散层的下方，并且从所述沟道形成区下方的区域、经由所述器件隔离膜下方的区域、朝向所述器件隔离膜的外围延伸。