发明名称 |
TFT-LCD阵列基板和彩膜基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板和彩膜基板。阵列基板包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极,所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔,用于与彩膜基板上的透明电极电连接。彩膜基板包括形成在基板上的黑矩阵、彩色树脂、柱状隔垫物和透明电极,所述柱状隔垫物设置在与阵列基板上第二钝化层过孔相对应的位置上,且覆盖有所述透明电极。本发明改变了彩膜基板上透明电极与阵列基板上公共电极的电连接方式,提高TFT-LCD的显示品质。 |
申请公布号 |
CN101546076A |
申请公布日期 |
2009.09.30 |
申请号 |
CN200810102786.2 |
申请日期 |
2008.03.26 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
张弥 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1339(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘 芳 |
主权项 |
1. 一种TFT-LCD阵列基板,包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极,其特征在于,所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔,用于与彩膜基板上的透明电极电连接。 |
地址 |
100176北京市经济技术开发区西环中路8号 |