多层陶瓷电容器及其制造方法

摘要

本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg-Si-O作为组成元素的第一异相。

主权项

1.一种多层陶瓷电容器，包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，其中，电介质至少含有SiO2和MgO作为第一子组分，含有稀土元素氧化物Re2O3作为第二子组分，Re指选自Y、Dy、Ho的一种或多种元素；Si和Mg的组成比是0.5≤(Si/Mg)＜6，Re和Mg的组成比是0.5≤(Re/Mg)≤6，并且，所述多层介电体中存在含有MgSi-O作为组成成分的第一异相，在所述介电层中，不存在含有Re-Si-O作为组成成分的第二异相，或者如果存在，以比第一异相的比例更小的比例存在。