等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体

摘要

本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。

主权项

1. 一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：电磁波产生源，其用于产生电磁波；电磁波引导部，其用于将上述电磁波引导到等离子体点火区域；电介质制的真空容器，其利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对等离子体点火；被处理体，其与上述真空容器相连接，内部空间保持为真空气氛；气体供给部件，其用于将处理气体供给到上述被处理体的内部空间中；排气部件，其用于对上述被处理体的内部空间进行排气；电压施加部件，其与上述被处理体相连接，对上述被处理体施加规定电压；该等离子体处理装置利用被引导到施加有上述规定电压的上述被处理体的内部空间中的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内壁面。