一种MOS器件漏电流的测试方法

摘要

本发明提供一种MOS器件漏电流的测试方法，它包括以下步骤：1：判断待测MOS器件漏电流是否大于标准值；如果是按照参数自动测试装置自带测试模式测试，如果不是进行步骤2；2：将测试部件与MOS器件连接，加载测试电压，测MOS器件漏电流的值；3：测得一次MOS器件漏电流值后，断开测试部件与MOS器件；4：判定测试次数是否等于预设次数，如果是预设次数测试的MOS器件最小漏电流值为测试MOS器件漏电流值，并停止自动测试装置的测试，如果不是，进行步骤5；5：等待预设时间后，进行步骤2。本发明的测试方法可解决参数自动测试装置测量漏电流小的MOS器件效率低下和精度低的问题，提高自动测试装置的利用率。

主权项

1、一种MOS器件漏电流的测试方法，采用参数自动测试装置测试，测试时测试部件与待测MOS器件连接，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1：判断待测MOS器件漏电流是否大于标准值；如果是按照参数自动测试装置自带测试模式测试，如果不是，进行步骤2；步骤2：将所述测试部件与MOS器件连接，加载测试电压，测得MOS器件漏电流的值；步骤3：测得一次MOS器件漏电流值后，断开所述测试部件与MOS器件；步骤4：判定测试的次数是否等于预设次数，如果是，预设次数测试的MOS器件最小漏电流值为测试MOS器件漏电流值，并停止所述自动测试装置的测试，如果不是，进行步骤5；步骤5：等待预设时间后，进行步骤2。