| 发明名称 | 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；将硅颗粒与金属氧化物颗粒的混合物蒸发至所述二氧化硅层上；对样品进行高温热退火。采用本发明方法制备的量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于单电子器件或单电子存储器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101546703A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200810102796.6 | 申请日期 | 2008.03.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 贾锐;李维龙;陈晨;刘明;陈宝钦;谢长青 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；将硅颗粒与金属氧化物颗粒的混合物蒸发至所述二氧化硅层上；对样品进行高温热退火。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||