| 摘要 |
Ein Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung weist die Schritte auf: Vorbereiten eines Substrats (172), eines plattenartigen Anschlussblocks angeordnet ist und bei dem ein Durchgangsloch ausgebildet ist, das ausgehend von der einen Seite die andere Seite erreicht, und eines Steueranschlusses (153), der in das Durchgangsloch eingepasst ist und von dem Anschlussblock (182) hervorragt, und Vorbereiten einer ersten Form und einer zweiten Form. Bei der ersten Form ist ein erster konkaver Abschnitt ausgebildet, der in der Lage ist, das ausgebildete Substrat (172) aufzunehmen. Bei der zweiten Form ist ein zweiter konkaver Abschnitt ausgebildet, der in der Lage ist, den Anschlussblock (182) aufzunehmen, und ein dritter konkaver Abschnitt, der in dem zweiten konkaven Abschnitt vorgesehen ist und in der Lage ist, den Steueranschluss (153), der von dem Anschlussblock (182) hervorragt, aufzunehmen. Das Herstellungsverfahren beinhaltet weiterhin die Schritte: Anordnen des Substrats (172) in dem ersten konkaven Abschnitt; Anordnen des Anschlussblocks (182) in dem zweiten konkaven Abschnitt und Anordnen des Steueranschlusses (153) in dem dritten konkaven Abschnitt zum Blockieren einer Öffnung des zweiten konkaven Abschnitts durch den Anschlussblock (182); und Einbringen eines Harzes zwischen das Substrat (172) und den Anschlussblock (182) in einem Zustand, in dem die erste Form und die zweite Form zwischen sich einen ... |
