| 发明名称 | 形成金属氧化物半导体晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供基底，该基底上已形成栅极结构；于该栅极结构两侧的该基底中形成源极与漏极；于该基底上沉积压缩介电层，以覆盖该栅极结构与该源极与漏极，其中沉积该压缩介电层的方法包括在化学气相沉积工艺期间通入特定气体，其中该特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合；进行退火工艺；去除该压缩介电层；以及于各该栅极结构顶面以及该源极与漏极的表面形成金属硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101533782A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200910134316.9 | 申请日期 | 2006.04.30 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;蔡腾群;黄建中 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邱 军 |
| 主权项 | 1. 一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供基底，该基底上已形成栅极结构；于该栅极结构两侧的该基底中形成源极与漏极；于该基底上沉积压缩介电层，以覆盖该栅极结构与该源极与漏极，其中沉积该压缩介电层的方法包括在化学气相沉积工艺期间通入特定气体，其中该特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合；进行退火工艺；去除该压缩介电层；以及于各该栅极结构顶面以及该源极与漏极的表面形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||