一种制作于半导性基板之射频被动元件

摘要

本发明揭示一种制作于半导性基板之射频被动元件，包含一半导性基板；一高缺陷密度之保护薄膜；一射频被动元件。该高缺陷密度之保护薄膜可具有改善该半导性基板在微波频段之操作损失并增进半导性基板之微波频带特性，且适用于各种半导性材料之基板，可广泛应用于高频被动元件之制作。