发明名称 |
薄膜电晶体之制造方法及薄膜电晶体 |
摘要 |
本发明提供可防止元件间之电晶体特性的不一致而提高移动率之生产性优异的薄膜电晶体之制造方法及薄膜电晶体。本发明之薄膜电晶体之制造方法,系以源极电极膜71及汲极电极膜72作为遮罩而对非晶矽膜4的通道部41照射固体绿光雷射GL而使移动率提高。由于藉由固体绿光雷射之照射使非晶矽膜的通道部结晶化,所以与过去之使用准分子雷射的方法相比,能使雷射振荡特性稳定化,对于大型基板也能以在整个面内都一样的输出特性进行雷射照射,可防止元件间之通道部的结晶度之不一致。另外,因为雷射振荡器的维护周期变长,所以可降低装置的停机成本,提高生产性。 |
申请公布号 |
TW200939357 |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
TW097150186 |
申请日期 |
2008.12.23 |
申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
森村太郎;菊池亨;桥本征典;浅利伸;斋藤一也;中村久三 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |