半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，其包括多个电晶体及多个应变层。各电晶体包括位于基底上的源极区与汲极区，以及位于源极区与汲极区之间之通道区上的闸极结构。这些电晶体之通道长度相同，但，至少有一源极区或汲极区在沿着通道区之通道长度方向上的宽度与其他源极或汲极区在沿着通道长度方向上的宽度不同。这些应变层包括多个第一应变层与多个第二应变层，分别埋在各闸极结构两侧的基底中。各第一应变层在沿着通道长度方向上的第一宽度相同，且各第二应变层在沿着通道长度方向上的第二宽度相同。