发明名称 |
MBC闪存中的错误校正的方法 |
摘要 |
多个逻辑页面与相应的ECC位一起被存储在MBC闪存(42)中,MBC单元中的至少一个存储来自多于一个逻辑页面的位,并且ECC位中的至少一个应用于逻辑页面中的两个或更多个。当从存储器(42)读取页面时,使用所读取的ECC位来校正所读取的数据位。作为替代方案,共同的、系统的或非系统的ECC代码字对于逻辑页面中的两个或更多个而被计算,并代替那些逻辑页面而被存储。当读取共同的代码字时,从所读取的代码字恢复逻辑位。本发明的范围还包括相应的存储器装置(54,56,5S)、这样的存储器装置(54,56,58)的控制器以及承载有用于实施所述方法的计算机可读代码的计算机可读存储介质。 |
申请公布号 |
CN101536109A |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
CN200680044505.1 |
申请日期 |
2006.10.04 |
申请人 |
特拉维夫大学拉莫特有限公司 |
发明人 |
S·利特辛;I·奥罗德;E·沙龙;M·穆里恩;M·拉瑟 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
康建忠 |
主权项 |
1. 一种在每单元多位(MBC)的闪存中存储数据的方法,包括以下步骤:(a)对于数据位的多个逻辑页面计算错误校正奇偶校验位,其中,所述错误校正奇偶校验位中的至少一个共同应用于所述逻辑页面中的至少两个;和(b)用所述数据位和所述错误校正奇偶校验位对MBC闪存进行编程,用来自应用有所述至少一个共同的错误校正奇偶校验位的所述至少两个逻辑页面中的多于一个逻辑页面的数据位对MBC闪存的至少一个单元进行编程。 |
地址 |
以色列特拉维夫 |