设有谐振器的半导体装置

摘要

本发明涉及在半导体装置内制作谐振器的方法，半导体装置包含具有垂直的第一轴和第二轴的衬底。通过第一图案在衬底上确定在其中制作谐振器的第一界定区。通过小于第一图案且位于第一图案轮廓内的第二图案在衬底上蚀刻孔。通过第一图案在孔内部和周围建立界定第一电极的第一掺杂区。通过将第一掺杂剂经由第三图案注入，将第一电极分割成两个电极。根据完全覆盖第一、第二和第三图案的位置的第四图案将氧化物淀积层施加在孔内部和周围。通过第五图案界定将孔完全覆盖的第二掺杂区，第五图案沿第一轴延伸，从而完全覆盖第二图案的位置，并且部分覆盖第一、第三和第四图案的位置。为界定形成能在两个电极之间振动的谐振器的元件，清除氧化物淀积层。

主权项

1.一种在半导体装置内制作谐振器的方法，所述半导体装置包含具有相互垂直的第一轴(XX’)和第二轴(YY’)的衬底(Z_HO)，其中，所述方法包括以下步骤：通过第一图案(M_HL)在衬底(Z_HO)上确定第一界定区(Z_HL)，其中在该第一界定区中制作谐振器，通过第二图案(M_TR)在衬底(Z_HO)上蚀刻孔(TR)，所述第二图案(M_TR)小于所述第一图案(M_HL)且位于所述第一图案的轮廓内，通过第一图案(M_HL)在所述孔(TR)的内部和周围建立用于界定第一电极的第一掺杂区(Z_DIFF1)，通过将第一掺杂剂经由第三图案(M_ARBOR)注入，将所述第一电极分割成两个电极(ELEC1，ELEC2)，根据第四图案(M_ONO)，将氧化物淀积层(Z_OXI)施加在孔(TR)的内部和周围，所述第四图案完全覆盖了第一、第二和第三图案的位置，通过第五图案(M_PS)界定将所述孔(TR)完全覆盖的第二掺杂区(Z_DIFF2)，所述第五图案沿第一轴(XX’)延伸，从而完全覆盖第二图案的位置，并且部分覆盖第一、第三和第四图案的位置，为界定用于形成能在两个电极(ELEC1，ELEC2)之间振动的谐振器的元件，清除所述氧化物淀积层(Z_OXI)。