发明名称 半导体发光元件及半导体发光元件之制造方法
摘要 本发明系一种半导体发光元及半导体发光元件之制造方法,其中,本发明乃提供具备:层积第1包覆层,和发光层,和第2包覆层所成之化合物半导层,和形成于第1包覆层之复数的第1欧姆电极,和形成于第2包覆层之复数的第2欧姆电极,和形成于化合物半导体层之第1包覆层上,与第1欧姆电极加以导通之透明导电膜,和形成于透明导电膜上之接合电极,和配置于化合物半导层之第2包覆层侧,与第2欧姆电极加以导通之支撑板的半导体发光元件。
申请公布号 TW200939535 申请公布日期 2009.09.16
申请号 TW097137612 申请日期 2008.09.30
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 渡边隆史
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本