发明名称 具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池
摘要 一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池,其包括一基板、一第一穿透电膜、一具有a-SiN的第一光电转换层、一具有a-Si的第二光电转换层、一具有a-SiSn的第三光电转换层、一第二穿透电膜及一上电极;此第一光电转换层可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间;此第二光电转换层可调变的能带宽是为1.7ev左右,而此第三光电转换层可调变的能带宽是介于0.08ev至1.1ev之间;借此,本发明兼具吸收范围大、转换效率高与制造成本较低等优点及功效。
申请公布号 CN101533866A 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200810084631.0 申请日期 2008.03.14
申请人 东捷科技股份有限公司 发明人 杨燕智;简永杰
分类号 H01L31/075(2006.01)I 主分类号 H01L31/075(2006.01)I
代理机构 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人 钱 凯
主权项 1. 一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池,其特征在于,包括:一基板,可透光;一第一穿透电膜,是设于该基板上且可透光;一第一光电转换层,是由一第一P层、一第一I层及一第一N层堆叠而成,其中,该第一I层是由a-SiN构成,而该第一光电转换层是设于该第一穿透电膜上,且可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间;一第二光电转换层,是由一第二P层、一第二I层及一第二N层堆叠而成,其中,该第二I层是由a-Si所构成,而该第二光电转换层是设于该第一光电转换层上,且可调变的能带宽为1.7ev左右;一第三光电转换层,是由一第三P层、一第三I层及一第三N层堆叠而成,其中,该第三I层是由a-SiSn构成,而该第三光电转换层是设于该第二光电转换层上,且可调变的能带宽介于0.08ev至1.1ev之间,又,该第一光电转换层的能隙是大于该第二光电转换层的能隙,且该第二光电转换层的能隙是大于该第三光电转换层的能隙;一第二穿透电膜,是设于该第三光电转换层的上方且可透光;一上电极,是设于该第二穿透电膜上。
地址 中国台湾