发明名称 | 具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池 | ||
摘要 | 一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池,其包括一基板、一第一穿透电膜、一具有a-SiN的第一光电转换层、一具有a-Si的第二光电转换层、一具有a-SiSn的第三光电转换层、一第二穿透电膜及一上电极;此第一光电转换层可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间;此第二光电转换层可调变的能带宽是为1.7ev左右,而此第三光电转换层可调变的能带宽是介于0.08ev至1.1ev之间;借此,本发明兼具吸收范围大、转换效率高与制造成本较低等优点及功效。 | ||
申请公布号 | CN101533866A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
申请号 | CN200810084631.0 | 申请日期 | 2008.03.14 |
申请人 | 东捷科技股份有限公司 | 发明人 | 杨燕智;简永杰 |
分类号 | H01L31/075(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/075(2006.01)I |
代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 钱 凯 |
主权项 | 1. 一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池,其特征在于,包括:一基板,可透光;一第一穿透电膜,是设于该基板上且可透光;一第一光电转换层,是由一第一P层、一第一I层及一第一N层堆叠而成,其中,该第一I层是由a-SiN构成,而该第一光电转换层是设于该第一穿透电膜上,且可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间;一第二光电转换层,是由一第二P层、一第二I层及一第二N层堆叠而成,其中,该第二I层是由a-Si所构成,而该第二光电转换层是设于该第一光电转换层上,且可调变的能带宽为1.7ev左右;一第三光电转换层,是由一第三P层、一第三I层及一第三N层堆叠而成,其中,该第三I层是由a-SiSn构成,而该第三光电转换层是设于该第二光电转换层上,且可调变的能带宽介于0.08ev至1.1ev之间,又,该第一光电转换层的能隙是大于该第二光电转换层的能隙,且该第二光电转换层的能隙是大于该第三光电转换层的能隙;一第二穿透电膜,是设于该第三光电转换层的上方且可透光;一上电极,是设于该第二穿透电膜上。 | ||
地址 | 中国台湾 |