发明名称 移位寄存器、其控制方法、电光装置和电子设备
摘要 本发明的目的在于防止传送脉冲的穿通且实现低功耗。数据传送单位电路Uaj具有第1电路和第2电路。在传送方向向右的情况下,第1电路起着写入装置的作用,第2电路起着存储装置的作用。第1电路具有由第1晶体管P1和第2晶体管N2构成的写入开关,第2电路具有由第3晶体管N2和第4晶体管P2构成的保持开关。写入开关和保持开关都用拨动式开关方式进行动作。时钟控制电路Ubj以写入开关和保持开关在状态迁移的途中两者都成为关断状态的方式生成第1~第4时钟信号CK1j~CK4j。
申请公布号 CN100541575C 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200610003226.2 申请日期 2006.01.27
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 片山茂宪
分类号 G09G3/30(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I 主分类号 G09G3/30(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 李 峥;陈海红
主权项 1.一种移位寄存器的控制方法,是对把具备包括保持门电路的在上述保持门电路为有效的状态下存储脉冲的逻辑电平的存储装置、和包括写入门电路的在上述写入门电路为有效的状态下向上述存储装置内写入脉冲的写入装置的传送单位电路多个串联连接起来的移位寄存器进行控制的方法,其特征在于:上述写入门电路具备P沟道型的第1晶体管和N沟道型的第2晶体管,上述保持门电路具备N沟道型的第3晶体管和P沟道型的第4晶体管,在从上述写入门电路为有效的状态且上述保持门电路为非有效的状态向上述写入门电路为非有效的状态且上述保持门电路为有效的状态迁移的情况下,按照以下顺序控制上述第1至第4晶体管的导通或关断状态:进行控制使得上述第1晶体管从导通状态变成为关断状态,进行控制使得上述第2晶体管从导通状态变成为关断状态,进行控制使得上述第3晶体管从关断状态变成为导通状态,进行控制使得上述第4晶体管从关断状态变成为导通状态,在从上述写入门电路为非有效的状态且上述保持门电路为有效的状态向上述写入门电路为有效的状态且上述保持门电路为非有效的状态迁移的情况下,按照以下顺序控制上述第1至第4晶体管的导通或关断状态:进行控制使得上述第3晶体管从导通状态变成为关断状态,进行控制使得上述第4晶体管从导通状态变成为关断状态,进行控制使得上述第1晶体管从关断状态变成为导通状态,进行控制使得上述第2晶体管从关断状态变成为导通状态。
地址 日本东京都