| 发明名称 | 与气隙结合的金属-氧化物-金属电容器 | ||
| 摘要 | 一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。 | ||
| 申请公布号 | CN101533838A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810192971.5 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张家龙;叶名世;陈家逸;鲁定中 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 梁 永;马佑平 |
| 主权项 | 1. 一种集成电路结构，包括：半导体衬底；覆盖在所述半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在所述第一金属化层之上的第二金属化层；在所述第二金属化层中的第二金属结构，其中，所述第一和第二金属结构为非电容器结构；金属-氧化物-金属(MOM)电容器，它在第一和第二金属化层的至少一个中具有第一区域；和在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的第一气隙。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||