发明名称 |
磁阻效应元件、磁头、以及磁再现装置 |
摘要 |
本发明的磁阻效应元件包括:包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜;磁耦合层;铁磁层;反铁磁层;偏置机构部,对磁化自由层施加偏置磁场,该偏置磁场相对于磁阻效应薄膜的薄膜表面平行、并且磁化固定层的磁化方向与磁化自由层的初始磁化方向之间的角度大于90°且小于160°;以及在磁阻效应薄膜上用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极,且偏置点大于50%。 |
申请公布号 |
CN100541853C |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
CN200710085268.X |
申请日期 |
2007.02.16 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
高下雅弘;高岸雅幸;岩崎仁志;中村志保 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 |
代理人 |
徐申民;张惠萍 |
主权项 |
1.一种磁阻效应元件,其特征在于,包括:磁阻效应薄膜,包括:具有磁化方向根据外部磁场而变化的磁性膜的磁化自由层、具有磁化方向固定于一个方向的磁性膜的磁化固定层、以及置于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层;置于所述磁阻效应薄膜的所述磁化固定层上的磁耦合层;置于所述磁耦合层上的铁磁层;置于所述铁磁层上的反铁磁层;偏置机构部,对所述磁化自由层施加偏置磁场,所述偏置磁场相对于所述磁阻效应薄膜的薄膜表面平行、并且所述磁化固定层的磁化方向与所述磁化自由层的初始磁化方向之间的角度大于90°且小于160°;以及在所述磁阻效应薄膜上用以使电流在从所述磁化固定层至所述磁化自由层的方向上通过的一对电极,其中,偏置点大于50%。 |
地址 |
日本国东京都港区芝浦一丁目1番1号 |