发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明提供一种非易失性的、易于制造的、并可以附加地写入的半导体器件。本发明的半导体器件包括多个晶体管、作为晶体管源极布线或漏极布线的导电层、与多个晶体管中的一个相重叠的存储元件、以及用作天线的导电层。存储元件包含按此顺序层积的第一导电层、有机化合物层和相变层、和第二导体层。用作天线的导电层与作为多个晶体管的源极布线或漏极布线的导电层设置在相同的层上。 |
申请公布号 |
CN100541803C |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
CN200580038582.1 |
申请日期 |
2005.11.09 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;安部宽子;根本幸惠;野村亮二;汤川干央 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:第一元件形成层;第二元件形成层;和包含导电颗粒的导电层,通过该导电层将所述第一元件形成层与所述第二元件形成层相粘合,其中,所述第一元件形成层包括设置在绝缘层上的晶体管、作为所述晶体管的源极布线或漏极布线的导电层、和用作天线的导电层;所述第二元件形成层包括存储元件,该存储元件具有按此顺序层积的第一导电层、有机化合物层或相变层、和第二导电层;所述第一导电层通过所述导电颗粒与所述作为所述晶体管的源极布线或漏极布线的导电层电连接。 |
地址 |
日本神奈川 |