| 发明名称 | 制造NAND闪速存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造NAND闪速存储器件的方法。使半导体衬底上待形成源极选择线SSL和漏极选择线DSL的部分选择性地或完全地凹进至预定深度。由此，可以增加栅极的沟道长度并且可以减少干扰。因而可以改善器件的可靠性和良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN100541764C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200710001227.8 | 申请日期 | 2007.01.04 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 严在哲;金南经 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造NAND闪速存储器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体衬底；和使半导体衬底待形成源极选择线和漏极选择线的部分凹进。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||