发明名称 |
2N阶伽玛产生电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种2N(N为大于或等于1的正整数)阶伽玛产生电路,包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路,其中所述的运算电路包括:存储FRC调制数据的SRAM存储器;与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块;分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。本实用新型利用具有FRC调制功能的运算电路,只需要N阶伽玛电压产生电路所需电阻就能实现2N阶伽玛电压,减少了2N阶伽玛电压产生电路使用的电阻数量,减少伽玛电压产生电路所占的芯片面积,达到节省芯片面积的目的。 |
申请公布号 |
CN201311768Y |
申请公布日期 |
2009.09.16 |
申请号 |
CN200820212300.6 |
申请日期 |
2008.09.28 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
管少钧;龚夺;何志强;杨云;冯卫 |
分类号 |
G09G3/36(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/36(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种2N阶伽玛电压产生电路,所述N为大于或等于1的正整数,包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路,其特征在于所述的运算电路包括:存储FRC调制数据的SRAM存储器;与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块;分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。 |
地址 |
518118广东省深圳市龙岗区坪山横坪公路3001号 |