发明名称 2N阶伽玛产生电路
摘要 本实用新型公开了一种2N(N为大于或等于1的正整数)阶伽玛产生电路,包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路,其中所述的运算电路包括:存储FRC调制数据的SRAM存储器;与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块;分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。本实用新型利用具有FRC调制功能的运算电路,只需要N阶伽玛电压产生电路所需电阻就能实现2N阶伽玛电压,减少了2N阶伽玛电压产生电路使用的电阻数量,减少伽玛电压产生电路所占的芯片面积,达到节省芯片面积的目的。
申请公布号 CN201311768Y 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200820212300.6 申请日期 2008.09.28
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 管少钧;龚夺;何志强;杨云;冯卫
分类号 G09G3/36(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I 主分类号 G09G3/36(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种2N阶伽玛电压产生电路,所述N为大于或等于1的正整数,包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路,其特征在于所述的运算电路包括:存储FRC调制数据的SRAM存储器;与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块;分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。
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