| 发明名称 | 非易失存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。 | ||
| 申请公布号 | CN100541855C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200610143924.2 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 浅野勇;佐藤夏树;泰勒·A·劳里;盖·C·威克;沃洛季米尔·丘巴蒂耶;斯蒂芬·J·赫金斯 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谷惠敏;钟 强 |
| 主权项 | 1.一种非易失存储元件，包括：具有第一通孔的第一层间绝缘层；形成在第一层间绝缘层上、具有第二通孔的第二层间绝缘层，第二通孔的至少一部分与第一通孔的至少一部分重叠；设置在第一通孔中的下电极；包含相变材料的至少一个记录层，记录层的至少一部分设置在第二通孔中；设置在第二层间绝缘层上的上电极；和形成在下电极和记录层之间的薄膜绝缘层，其中下电极具有比第二通孔的直径小的直径，并且与第二层间绝缘层的上表面和第二通孔内侧壁接触地设置薄膜绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||