| 摘要 |
<p>Denne oppfinnelsen gjelder en fremgangsmåte for teksturering av en silisiumoverflate og silisiumwafere laget med fremgangsmåten, hvor fremgangsmåten omfatter nedsenking av waferene i en alkalisk løsning med pH> 10, og å påføre potensialforskjell mellom waferen og en platinaelektrode i elektrolytten i området fra +10 til +85 V.</p> |
