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Es wird ein Tunnelfeldeffekttransistor (TFET) mit einem Halbleiterkörper und einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Steuerelektrode, wobei gemäß einer Ausführungsform zwischen dem Halbleiterkörper und der Steuerelektrode ein Dielektrikum angeordnet ist, das Dielektrikum eine dicke von 5 nm oder mehr aufweist und das Dielektrikum eine relative Permittivität von 30 oder mehr aufweist. Gemäß einer anderen Ausführungsform weist das Dielektrikum eine Dicke von 5 nm oder mehr auf und das Verhältnis der relativen Permittivität des Dielektrikums zu der relativen Permittivität eines Bereichs des Halbleiterkörpers, der dem Dielektrikum zugewandt ist und von der Steuerelektrode überdeckt ist, beträgt drei oder mehr. Ferner wird ein Verfahren zum Betreiben des TFET angegeben.
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