半导体发光元件

摘要

在设有包含分别具有5nm膜厚的两个InGaN阱层的2重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在3.0％以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于1.5％时，阈值电流显著增大，且微分效率的改善量也小。因而，其光封闭系数Γ的下限最好为1.5％左右，若光封闭系数Γ在3.0％以下，则得到的微分效率为1.6W/A以上，且通过设光封闭系数Γ为2.6％以下，得到1.7W/A以上的微分效率。从而得到具有高微分效率的使用氮化物类III-V族化合物的半导体发光元件。

主权项

1. 一种半导体发光元件，采用设有包括至少两个阱层的多重量子阱结构的活性层的氮化物类III-V族化合物半导体，其特征在于：所述至少两个阱层中至少两个是InGaN阱层，在发光时的元件的全部导波光中，将表示所述至少两个InGaN阱层中的光的比例的光封闭系数设定为1.5％以上、3.0％以下。