发明名称 一种全固态薄膜锂电池的制备方法
摘要 本发明涉及一种全固态薄膜锂电池的制备方法,解决了现有全固态薄膜锂电池的制备工艺复杂且需要高温退火过程的技术问题。包括以下步骤:1.在基片表面沉积氮化钴薄膜;2.在氮化钴薄膜上沉积氮化的磷酸锂薄膜;3.在氮化的磷酸锂薄膜上沉积金属锂薄膜。具有结构简单,制备过程简单,比容量高,充放电循环性能良好的优点。
申请公布号 CN101527362A 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200810017623.4 申请日期 2008.03.06
申请人 刘文元 发明人 刘文元
分类号 H01M6/18(2006.01)I;H01M10/38(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I 主分类号 H01M6/18(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 代理人 王少文
主权项 1、一种全固态薄膜锂电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1]在基片(1)表面沉积氮化钴薄膜:采用金属钴作为靶材,通过射频磁控溅射的方法沉积氮化钴薄膜,沉积时基片(1)温度小于100℃,直至氮化钴薄膜的厚度为100nm~2.0μm;2]在氮化钴薄膜上沉积氮化的磷酸锂薄膜:采用磷酸锂作为靶材,通过射频磁控溅射的方法沉积氮化的磷酸锂薄膜,直至氮化的磷酸锂薄膜的厚度为1.0~2.5μm;3]在氮化的磷酸锂薄膜上沉积金属锂薄膜:采用真空热蒸发沉积,本底压力为1×10-4Pa,基片温度为室温,蒸发速率500~1000nm/min,直至金属锂薄膜的厚度为100nm~3μm。
地址 710024陕西省西安市69信箱14分箱
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