含铜膜形成方法

摘要

本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β-二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I-I)表示的基团(R^a表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，R^b、R^c、R^d相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I-I)表示的基团(R^aR^b、R^c、R^d与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。

主权项

1.一种含铜膜形成方法，是使用将下述通式(I)′表示的β-二酮基作为配位基的下述通式(I)表示的铜配合物的气体和含氢原子气体，利用CVD法在成膜对象物上形成含铜膜的方法，通式(I)′中，Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示通式(I-I)表示的基团，其中，R^a表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，R^b、R^c、R^d相互独立、分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基，Y表示该通式(I-I)表示的基团或碳原子数1～8的直链或支链的烷基，其中，R^a表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，R^b、R^c、R^d相互独立、分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基；通式(I)中，X、Y、Z与上述定义相同；其特征在于，以含氢原子气体供给量和铜配合物气体供给量之比与含氢原子气体分压之间满足以下关系的方式，供给铜配合物气体和含氢原子气体，形成含铜膜，{(含氢原子气体供给量(cc/min))/(铜配合物气体供给量(cc/min))}×(含氢原子气体分压)≥50,000，前述含氢原子气体是选自NH₃、H₂、SiH₄、Si₂H₆及肼衍生物中的气体。