发明名称 | 半导体发光装置 | ||
摘要 | 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。 | ||
申请公布号 | CN101527344A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
申请号 | CN200910132586.6 | 申请日期 | 2005.11.11 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小屋贤一;岸本幸男 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈 萍 |
主权项 | 1.一种半导体发光装置,其特征在于,具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件,上述衬底部件具备:基板;电极部,配置在上述基板的上表面上,与上述半导体发光元件直接接触;及反射部,配置在上述基板的上表面上,不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触;上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分比近的部分,反射来自上述半导体发光元件的光的比例高。 | ||
地址 | 日本大阪府 |