发明名称 在光学记录载体的信息层中记录标记的方法和记录设备
摘要 本发明涉及一种在记录载体(30)的信息层(301)中记录标记的方法,在该方法中使用了2t写入策略。本发明还涉及一种能够实施该方法的记录设备。本发明提供了针对在没有可以用于2T写入策略的专门为所要记录的记录载体调整的写入参数设定时,如何在该信息层上记录标记的问题的解决方案。
申请公布号 CN100538829C 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200380106649.1 申请日期 2003.12.04
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 B·蒂伊克;M·范德韦勒坦
分类号 G11B7/00(2006.01)I;G11B7/125(2006.01)I 主分类号 G11B7/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王 岳;陈景峻
主权项 1. 利用脉冲辐射光束(32)照射记录载体(30)的信息层(301)中而在该信息层(301)记录标记的方法,所述信息层具有在晶相和非晶相之间可逆改变的相,其中利用n/2个脉冲的序列写入偶数标记,该偶数标记的时间长度为nT,其中n表示等于4、6、8或10的整数值,T表示一个基准时钟周期的长度,并且其中利用(n-1)/2个脉冲的序列写入奇数标记,该奇数标记的时间长度为nT,其中n表示等于5、7、9或11的整数值,用于写入奇数标记的脉冲序列中的最后脉冲比用于写入偶数标记的脉冲序列中的最后脉冲长周期Δ1p,用于写入奇数标记的脉冲序列中的最后脉冲之前的间隙比用于写入偶数标记的脉冲序列中的最后脉冲之前的间隙长周期Δ1g,其特征在于:用于写入奇数标记的脉冲序列中的最后脉冲之后的冷却间隙比用于写入偶数标记的脉冲序列中的最后脉冲之后的冷却间隙长周期Δ2,以及周期Δ1g、Δ1p和Δ2的和在0.7T到1.1T的范围内。
地址 荷兰艾恩德霍芬