半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法

摘要

半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)淀积多晶硅层；(4)硅单晶片衬底顶表面上和背面上形成氮化硅(SiN)保护层；(5)硅单晶片衬底顶表面上形成的氮化硅(SiN)层上形成二氧化硅(SiO₂)层；(6)用磷酸(H₃PO₄)湿腐蚀除去硅单晶片衬底背面上的氮化硅(SiN)层；(7)用氢氟酸(HF)腐蚀除去硅单晶片衬底顶表面的氮化硅(SiN)层上的二氧化硅(SiO₂)层，保留衬底顶表面的氮化硅(SiN)层。

主权项

1. 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)在氧化物栅材料上淀积多晶硅层(polysilicon)；(4)硅单晶片衬底上淀积多晶硅层后，在硅单晶片衬底顶表面上的多晶硅层上和硅单晶片衬底的背面上形成氮化硅(SiN)保护层；(5)硅单晶片衬底顶表面上形成的氮化硅(SiN)层上形成二氧化硅(SiO2)保护层；(6)将具有以上工艺步骤中形成的结构的硅单晶片衬底浸入磷酸(H3PO4)腐蚀槽中，用磷酸(H3PO4)湿腐蚀硅单晶片衬底背面上的氮化硅(SiN)层，除去硅单晶片衬底背面的氮化硅(SiN)层；(7)进行氢氟酸(HF)腐蚀，除去硅单晶片衬底顶表面的氮化硅(SiN)层上的二氧化硅(SiO2)保护层，保留硅单晶片衬底顶表面上的氮化硅(SiN)保护层。