发明名称 一种全光开关及其设计方法
摘要 本发明涉及光子晶体全光开关及其设计方法,其设计方法为:在多层膜结构中掺入一个中心缺陷层C或两个对称缺陷层C,以及两个侧边缺陷层D,侧边缺陷层D与缺陷层C间隔N个周期的介质膜,以避免侧边缺陷层D与缺陷层C发生相互耦合作用;然后调节中心缺陷层C的光学厚度或调节两个对称缺陷层C的光学厚度及它们之间的距离获得两个缺陷模,再设置侧边缺陷层D的光学厚度,获得两个Q值比约为2-4的缺陷模;将低Q值缺陷模设为泵浦光通道,高Q值缺陷模设为探测光通道。本发明利用了光子晶体的带隙特性,并利用掺杂非线性缺陷层,实现了大于90%的高开关效率的全光开关,其需要的泵浦光强比含单缺陷层、具有相同Q值的情况低约50倍。
申请公布号 CN101526713A 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200910038757.9 申请日期 2009.04.20
申请人 中山大学 发明人 金崇君;饶文媛
分类号 G02F1/35(2006.01)I 主分类号 G02F1/35(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人 陈燕娴;黄 磊
主权项 1.一种全光开关设计方法,其特征在于包括以下几个步骤:步骤101,在第一介质层A与第二介质层B交替堆叠的多层膜结构中掺入一个中心缺陷层C或两个位于多层膜结构中部的对称缺陷层C,再在多层膜结构中远离缺陷层C的两端对称地掺入两个侧边缺陷层D;第一介质层A与第二介质层B的折射率比大于1.1,两相邻的第一介质层A与第二介质层B组成一个周期的介质膜;侧边缺陷层D与缺陷层C间隔N个周期的介质膜,以避免侧边缺陷层D与缺陷层C发生相互耦合作用,其中N大于或等于6;步骤102,调节缺陷层C的参数,获得两个缺陷模;然后设置侧边缺陷层D的光学厚度,使得两个侧边缺陷层D产生的缺陷模与缺陷层C产生的缺陷模之一重叠,从而获得两个具有不同Q值的缺陷模,两个缺陷模的Q值比为2-4;步骤103,将低Q值缺陷模设置为泵浦光通道,高Q值缺陷模设置为探测光通道。
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