| 发明名称 | 制造快闪存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造快闪存储器件的方法。所述方法包括以下步骤：提供其中限定单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底，蚀刻在选择晶体管区域内的半导体衬底使得在单元区域和选择晶体管区域之间形成第一阶梯，在所述单元区域内形成单元栅，以及在所述选择晶体管区域内形成晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN100539084C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200710111443.8 | 申请日期 | 2007.06.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 杨永镐 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1. 一种制造快闪存储器件的方法，包括以下步骤：提供其中限定单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底；蚀刻在所述选择晶体管区域中的半导体衬底，以在所述单元区域和所述选择晶体管区域之间形成第一阶梯；和在所述单元区域中形成单元栅，和在所述选择晶体管区域中形成晶体管。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||