| 发明名称 | 一种可弯曲全透明ZnMgO薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的可弯曲全透明ZnMgO薄膜晶体管，以Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O合金半导体薄膜，0＜x＜1为沟道层，以Ga掺杂的n型ZnO为栅极、源极和漏极，以Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为栅极绝缘层，以聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酩、有机玻璃或聚萘二甲酸乙二醇酯有机聚合物为衬底，采用射频磁控溅射法制备。本发明的薄膜晶体管具有光敏退化性小、迁移率高，响应速度快、柔性可弯曲、性能稳定性好的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101527322A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200910097498.7 | 申请日期 | 2009.04.07 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;龚丽;吕建国 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种可弯曲全透明ZnMgO薄膜晶体管，在衬底(1)上依次沉积有栅极层(2)、栅极绝缘层(3)和沟道层(4)，在沟道层(4)上沉积有彼此相隔的漏极(5)和源极(6)，其特征在于沟道层(4)是Zn1-xMgxO合金半导体薄膜，0＜x＜1，栅极(2)、源极(6)和漏极(5)均是Ga掺杂的n型ZnO薄膜，栅极绝缘层(3)是Al2O3，衬底(1)是有机聚合物。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||