| 摘要 |
本发明提供形成混合定向基板之改良非晶化/样板式再结晶(ATR)方法以及半导体装置结构。具有(011)表面晶体定向之直接矽接合(DSB)矽层接合于具有(001)表面晶体定向之基础矽基板上，以形成DSB晶圆，其中(011)DSB层之面内＜110＞方向与(001)基础矽基板之面内＜110＞方向对准。非晶化DSB层之选择区域下至基础矽基板，以形成与(001)基础矽基板之面内＜100＞方向正交对准之非晶化区域，接着利用基础基板作为样板再结晶。DSB层、基础基板、以及非晶化区定向之最佳化配置，于原定向矽区及改变定向矽区间提供了近乎垂直又实质无缺陷之边界，因而能完全的边界区移除，并有以比非最佳化ATR方法所能达到还小的足印浅沟渠隔离。 |
