发明名称 | 画素之形成方法 | ||
摘要 | 一种画素之形成方法,包括下列步骤:形成薄膜电晶体于基板上,其中薄膜电晶体包括闸极、通道层、源极以及汲极;接着,形成保护层于薄膜电晶体上,然后,形成图案化光阻层于保护层上,于图案化光阻层、部分薄膜电晶体以及部分基板上形成透明导电层;接下来,形成第一金属层于透明导电层上,再以剥离制程将位于图案化光阻层上之透明导电层与第一金属层移除。接着,以酸性溶剂溶解已剥离之透明导电层及第一金属层。然后,移除残留之第一金属层以裸露出未被图案化光阻层覆盖之薄膜电晶体及位于基板上的透明导电层。 | ||
申请公布号 | TW200937640 | 申请公布日期 | 2009.09.01 |
申请号 | TW097106688 | 申请日期 | 2008.02.26 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 詹勋昌;林汉涂 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |