发明名称 干涉型光电电池
摘要 特定实施例包括经干涉调谐之光电电池(2100),其中相干地加总来自叠层式光电装置之界面之反射,以在该光电电池(2100)之一将光能转换成电能之作用区域中产生一增大的电场。该等经干涉调谐或干涉型光电装置(iPV)增加该干涉型光电电池(2100)之该作用区域(2101)中对光能之吸收且藉此增加该装置之效率。在各种实施例中,在该光电装置(2100)中包括一或多个光学谐振腔(2110)及/或光学谐振层以增加该作用区域(2101)中之电场集中及该吸收。
申请公布号 TW200937647 申请公布日期 2009.09.01
申请号 TW097136647 申请日期 2008.09.24
申请人 高通微机电系统科技公司 发明人 卡萨 卡湛尼;曼尼须 克司里;徐刚
分类号 H01L31/042(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国