记忆体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种记忆体装置，它包括具有第一电极、第二电极、以及在该第一电极和该第二电极之间的矽层的记忆元件。该记忆元件可以处于“第一状态”、“第二状态”、及“第三状态”。对处于该第一状态的该记忆元件写入第一资料以使第一电极的电位比该第二电极的电位高，以使该记忆元件处于所述第二状态，对处于该第一状态的该记忆元件写入第二资料来使第二电极的电位比该第一电极的电位高，以使该记忆元件处于该第三状态。