| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une région semi-conductrice de canal et une région de grille, la région de grille comprenant au moins une partie enterrée s'étendant sous la région de canal. La formation de la partie enterrée de la région de grille comprend :- une formation d'une cavité sous la région de canal,- le remplissage de la cavité par un premier matériau,- la mise en contact avec le premier matériau, d'aluminium ou d'un deuxième matériau semi-conducteur différent du premier,- une substitution du premier matériau par l'aluminium, ou la diffusion du second matériau semi-conducteur dans le premier matériau.
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