半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板。在半导体器件的制造方法中，把半导体芯片安装在支撑板上，使该半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来。形成绝缘层以覆盖半导体芯片的设置有端子电极的一侧。形成与端子电极连接并穿透绝缘层的穿通电极。在绝缘层上形成与穿通电极连接的金属配线。形成与金属配线连接的外部端子电极。作为第二间隔的相邻外部端子电极之间的间隔大于作为第一间隔的相邻端子电极之间的间隔。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：半导体芯片安装步骤：把半导体芯片安装在支撑板上，并使所述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来；绝缘层形成步骤：形成绝缘层以覆盖所述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧；穿通电极形成步骤：形成穿通电极，所述穿通电极与所述端子电极连接并穿透所述绝缘层；金属配线形成步骤：在所述绝缘层上形成与所述穿通电极连接的金属配线；以及外部端子电极形成步骤：在所述金属配线上形成用于使所述金属配线与外部连接的外部端子电极，其中，相邻的所述外部端子电极之间的间隔大于相邻的所述端子电极之间的间隔。