发明名称 |
光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器 |
摘要 |
本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器,在形成半导体时,在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后,从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板,并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态,因此,原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后,在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体,因此,能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外,这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。 |
申请公布号 |
CN101517751A |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200780034287.8 |
申请日期 |
2007.04.12 |
申请人 |
株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构 |
发明人 |
德田敏;冈本保 |
分类号 |
H01L31/09(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/09(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
1、一种光或放射线检测器的制造方法,其是制造光或放射线检测器的制造方法,该光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射而生成电荷的半导体和为了层叠形成该半导体而将其支承的支承基板,并且至少沿其厚度方向连续地形成半导体,所述光或放射线检测器的制造方法的特征在于,在形成所述半导体时,在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后,从该模仿基板替换成所述支承基板,并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体。 |
地址 |
日本京都府 |