| 发明名称 | 用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于制造晶体管结构的结构和方法。该方法包括如下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括通过掩埋介质层与所述衬底的体区域分离的绝缘体上半导体(“SOI”)层；(b)第一注入所述SOI层，以在所述SOI层与所述掩埋介质层的界面处获得预定掺杂剂浓度；以及(c)第二注入所述SOI层，以在多晶半导体栅极导体(“多晶栅极”)和邻近所述多晶栅极设置的源极和漏极区域中获得预定掺杂剂浓度，其中所述第一注入的最大深度大于所述第二注入的最大深度。 | ||
| 申请公布号 | CN100533693C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200710096369.7 | 申请日期 | 2007.04.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·奇丹巴尔拉奥;B·J·格林;J·J·埃利斯-莫纳甘 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1. 一种制造晶体管结构的方法，包括如下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括通过掩埋介质层与所述衬底的体区域分离的绝缘体上半导体层；(b)在待形成多晶栅极的区域中形成牺牲栅极；(c)第一注入所述绝缘体上半导体层，以在所述绝缘体上半导体层与所述掩埋介质层的界面处获得预定掺杂剂浓度；以及(d)第二注入所述绝缘体上半导体层，以在所述多晶栅极和邻近所述多晶栅极设置的源极和漏极区域中获得预定掺杂剂浓度，其中所述第一注入的最大深度大于所述第二注入的最大深度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||