| 发明名称 |
三维电编程只读存储器 |
| 摘要 |
本发明提出一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，它含有一编程电压接线垫，该编程电压接线垫为该3D-EPROM引入编程电压(V<sub>pp</sub>)。因此，3D-EPROM不需含有V<sub>pp</sub>产生电路。这能简化3D-EPROM设计，并降低其成本。本发明还提出一种能对至少两个存储元同时进行编程的3D-EPROM。 |
| 申请公布号 |
CN101515477A |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
| 申请号 |
CN200810189026.X |
申请日期 |
2002.11.17 |
| 申请人 |
张国飙 |
发明人 |
张国飙 |
| 分类号 |
G11C17/06(2006.01)I;G11C17/08(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/06(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征在于含有：一衬底电路(10)；至少一堆叠在该衬底电路上方的三维存储层(100)，该三维存储层通过多个接触通道口(20v)与所述衬底电路相连；和位于该三维存储层的第一和第二存储元(1cb，1cc)，该第一存储元(1cb)与第一亚译码器(70a)相连，该第二存储元(1cc)与第二亚译码器(70b)相连，所述第一和第二亚译码器共享一输入地址(2C)。 |
| 地址 |
610051四川省成都市建设路59号5A-001信箱 |
