发明名称 |
用于X射线曝光的光刻掩模结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于X射线曝光的光刻掩模结构,该结构由低原子序数金属薄膜、聚酰亚胺薄膜和高原子序数金属吸收体图形自下而上依次构成。本发明同时公开了一种制备光刻掩模结构的方法。利用本发明,因为采用了低原子序数金属铝、聚酰亚胺和高原子序数金属吸收体的多层膜结构,完全可以用于微米、深亚微米和纳米尺度下的X射线光刻。与基于无机薄膜的掩模相比,具有成本低、工艺流程简单、不容易破裂等优点;与有机薄膜的掩模相比,还具有机械强度大、不容易变形、导热性能好等优点。 |
申请公布号 |
CN101515110A |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200810057937.7 |
申请日期 |
2008.02.21 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
朱效立;谢常青;叶甜春;刘明 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种用于X射线曝光的光刻掩模结构,其特征在于,该结构由低原子序数金属薄膜、聚酰亚胺薄膜和高原子序数金属吸收体图形自下而上依次构成。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |