| 发明名称 | 激光加工方法 | ||
| 摘要 | 沿着切断预定线(5)，在硅晶圆(11)的内部形成作为切断的起点的6列熔融处理区域(13<sub>1</sub>、13<sub>2</sub>)，但是，在形成最接近加工对象物(1)的背面(21)的熔融处理区域(13<sub>1</sub>)时，沿着切断预定线(5)在背面(21)形成弱化区域(18)。如此，由于熔融处理区域(13<sub>1</sub>、13<sub>2</sub>)形成于硅晶圆(11)的内部，因而能够防止从熔融处理区域(13<sub>1</sub>、13<sub>2</sub>)产生粒子。并且，由于具有规定的深度的弱化区域(18)沿着切断预定线(5)形成于加工对象物(1)的背面(21)，因而能够用较小的外力沿着切断预定线(5)切断加工对象物(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101516565A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780034480.1 | 申请日期 | 2007.09.13 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 坂本刚志 |
| 分类号 | B23K26/38(2006.01)I;B23K26/40(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)I | 主分类号 | B23K26/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种激光加工方法，其特征在于，通过以具备半导体基板的板状的加工对象物的一个面为激光入射面并向所述加工对象物照射激光，从而沿着所述加工对象物的切断预定线，以在所述加工对象物的厚度方向上并列的方式，在所述半导体基板的内部形成作为切断的起点的多列改质区域，所述激光加工方法包括：形成多列所述改质区域中最接近所述加工对象物的另一个面的改质区域，同时沿着所述切断预定线在所述另一个面形成具有规定的深度的弱化区域的工序；以及形成多列所述改质区域中除了最接近所述另一个面的所述改质区域以外的改质区域的工序。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||